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    本發明係提供一種光固化型黏著片材，該光固化型黏著片材在加熱時很難產生黏著劑層之軟化，其特徵在於該黏著片材，係在基材中積層光固化型黏著劑層而成，且形成光固化型黏著劑層的光固化型黏著劑包含：(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑與光聚合起始劑，不包含增黏樹脂。該黏著片材，由於在黏著劑中不包含增黏樹脂，故即使在被加熱之情形下也不產生黏著劑層之軟化。
    公开号:TW201300491A
    申请号:TW101117878
    申请日:2012-05-18
    公开日:2013-01-01
    发明作者:Takeshi Saito；Kazunori Shikano
    申请人:Denki Kagaku Kogyo Kk；
    IPC主号:C09J4-00
    专利说明:
    黏著片材及電子零件之製造方法
    本發明係關於黏著片材及使用該黏著片材之電子零件的製造方法。
    半導體晶圓，在形成電路之後貼合黏著片材，然後經過切割成元件薄片(切割)、洗滌、烘乾、黏著片材之拉伸(擴展)、自黏著片材剝離元件薄片(拾取)、裝配等各個工序。在該等工序中所使用的黏著片材(切割膠帶)，自切割工序至烘乾工序對於所切割之元件薄片(晶片)具有充分的黏著力，但在拾取工序時則希望減少黏著力至無黏著劑沉積物之出現。
    作為黏著片材，有在對於紫外線及/或者電子束等活化光線具有穿透性的基材上塗佈藉由紫外線等而產生聚合固化反應的黏著劑層者。至於該黏著片材，採用的方法為：在切割工序後將紫外線等照射至黏著劑層，並通過聚合固化黏著劑層來降低黏著力，然後拾取被切割之晶片。
    作為此種黏著片材，於專利文獻1及專利文獻2中，揭示有在基材面上塗佈黏著劑而形成的黏著片材，該黏著劑含有：例如可藉由活化光線而三維網狀化的、且在分子內具有光聚合性不飽和雙鍵的化合物(多官能性寡聚體)。
    此外，專利文獻3揭示了一種半導體加工用的黏著片材，該黏著片材藉由在基材面上塗覆一種由基礎聚合物、放射線聚合性化合物、放射線聚合性聚合開始劑組成的黏著劑層來形成。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]日本特開昭60-196956號公報
    [專利文獻2]日本特開昭60-223139號公報
    [專利文獻3]日本特開昭2002-285134號公報
    在半導體晶圓之加工工序中，在通過測試形成有電路的半導體晶圓之性能而篩分優良品與不良品時，有時會對半導體晶圓進行加熱。又，在除去切割工序中的切削水時，亦對半導體晶圓進行加熱。
    在進行此種對半導體晶圓的加熱之情形下，有時黏著片材之黏著劑層會因為加熱而軟化，黏著片材過度地黏著於半導體晶圓。如果黏著片材過度地黏著於半導體晶圓，則即使照射紫外線等而固化黏著劑層亦不會充分降低黏著劑層之黏著力，且成為產生拾取困難或者黏著劑沉積物等不良的原因。【發明內容】
    因此，本發明之主要目的在於提供一種黏著片材，其在加熱時很難產生黏著劑層之軟化。
    本發明人等發現，黏著劑所包含的增黏樹脂之軟化為加熱時導致黏著劑層軟化的主要原因。
    基於該知識，本發明提供一種黏著片材，係在基材中積層光固化型黏著劑層而成，其特徵在於構成該光固化型黏著劑層的光固化型黏著劑包含，(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑與光聚合起始劑，不包含增黏樹脂。該黏著片材，由於在黏著劑中不包含增黏樹脂，故即使在加熱之情形下亦不會產生黏著劑層之軟化。
    在該黏著片材中，前述光固化型黏著劑包含聚矽氧類接枝共聚物為佳，而前述多官能異氰酸酯固化劑具有三個以上異氰酸酯基為佳。又，前述光聚合起始劑，於自23℃至500℃以10℃/分的升溫速度升溫時，質量損失率為10%的溫度為250℃以上為佳。此外，前述基材，較佳的是，由丙烯類共聚物，特別是由丙烯和1-丁烯及乙烯之共聚物形成。
    該黏著片材，在電子零件之檢驗工序中貼合在該電子零件上而較佳地使用。
    又，本發明提供一種用於在電子零件之檢驗工序中形成貼合在該電子零件上而使用之黏著片材的黏著劑層之黏著劑，其特徵在於包含，(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑與光聚合起始劑，不包含增黏樹脂。
    此外，本發明還提供一種電子零件之製造方法，其特徵在於包含將貼合有黏著片材之電子零件加熱至60~150℃的加熱工序，而前述黏著片材，使用在基材上積層光固化型黏著劑層而成，該基材藉由丙烯類共聚物形成，形成光固化性黏著劑層的該光固化型黏著劑包含(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑與光聚合起始劑，不包含增黏樹脂之黏著片材。
    在該電子零件之製造方法中，用於性能試驗之加熱工序，至少可以在切割工序之前後的一方實施。即，該電子零件之製造方法，可以包含：貼合工序，其將前述黏著片材貼合在半導體晶圓或者基板與環狀框架上；加熱工序，其將貼合有黏著片材之半導體晶圓或者基板裝載於60~150℃的工作臺上使黏著片材與工作臺相接觸，藉由吸附固定來加熱，並檢驗半導體晶圓或者基板；切割工序，其將貼付了黏著片材的半導體晶圓或者基板切割之後作為半導體晶片或者半導體零件；光照工序，其向黏著片材之光固化型黏著劑層照射活化光線；擴展工序，其為增寬半導體晶片或者半導體零件之間的間隔而拉伸黏著片材；拾取工序，其自黏著片材拾取半導體晶片或者半導體零件。又，該電子零件之製造方法，亦可以包含：貼合工序，其將前述黏著片材貼合在半導體晶圓或者基板與環狀框架上；切割工序，其將貼付了黏著片材的半導體晶圓或者基板切割之後作為半導體晶片或者半導體零件；加熱工序，其將貼合有黏著片材之半導體晶片或者半導體零件裝載於60~150℃的工作臺上使黏著片材與工作臺相接觸，藉由吸附固定來加熱，並檢驗半導體晶片或者半導體零件；光照工序，其向黏著片材之光固化型黏著劑層照射活化光線；擴展工序，其為增寬半導體晶片或者半導體零件之間的間隔而拉伸黏著片材；拾取工序，其自黏著片材拾取半導體晶片或者半導體零件。
    在這裡，於「增黏樹脂」中，包含為提高丙烯酸類黏著劑之黏性而先前混合之樹脂，例如松香樹脂、萜烯樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、苯並呋喃-茚樹脂、苯乙烯樹脂、二甲苯樹脂以及該等樹脂的混合物等。
    依據本發明，提供一種加熱時很難產生黏著劑層之軟化的黏著片材。
    以下，說明本發明之較佳實施形態。另外，以下說明之實施形態係顯示本發明之代表性實施形態之一例者，對本發明之範圍的解釋並非因此狹窄。 1.黏著片材
    (1)光固化型黏著劑
    (1-1)增黏樹脂
    (1-2)(甲基)丙烯酸酯共聚物
    (1-3)光聚合性化合物
    (1-4)多官能異氰酸酯固化劑
    (1-5)光聚合起始劑
    (2)基材 2.電子零件之製造方法
    (1)貼合工序
    (2)加熱工序
    (3)切割工序
    (4)光(紫外線)照射工序
    (5)擴展．拾取工序 1.黏著片材
    本發明之黏著片材，其在基材上積層光固化型黏著劑層(以下，亦單純稱之為「黏著劑層」)而成，其特徵在於在黏著劑中不包含增黏樹脂。本發明之黏著劑，即使在被加熱之情形下也不產生起因於增黏樹脂之軟化的黏著劑層之軟化，故不會過度地黏著於半導體晶圓等。因此，在本發明之黏著片材，可藉由紫外線等照射充分降低黏著劑層之黏著力，且可以防止拾取不良及黏著劑沉積物。 (1)光固化型黏著劑
    本發明之黏著片材的形成黏著劑層之光固化型黏著劑，包含(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑與光聚合起始劑，不包含增黏樹脂。 (1-1)增黏樹脂
    作為加熱時導致黏著劑層之軟化的增黏樹脂，無特別之限定，然而可列舉松香樹脂、萜烯樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、苯並呋喃-茚樹脂、苯乙烯樹脂、二甲苯樹脂以及該等樹脂的混合物。
    黏著劑中只要不包含增黏樹脂，亦可以添加剝離增強劑、抗老化劑、填料、紫外線吸收劑以及光穩定劑等各種添加劑。在剝離增強劑中，可以使用例如聚矽氧類接枝共聚物。 (1-2)(甲基)丙烯酸酯共聚物
    (甲基)丙烯酸酯共聚物係，僅為(甲基)丙烯酸酯單體之聚合物，或者，(甲基)丙烯酸酯單體與乙烯基化合物單體之共聚物。另外，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯之總稱。包含(甲基)丙烯酸酯等(甲基)的化合物等也同樣，係指在名稱中包含「甲基」之化合物與不包含「甲基」之化合物的總稱。
    作為(甲基)丙烯酸酯的單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酸丁酯、2-(甲基)丙烯酸丁酯、t-(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)丙烯酸十六酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸雙環戊酯、甲基丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧甲酯以及乙氧基-n-(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯。
    作為能夠在(甲基)丙烯酸酯單體上共聚的乙烯基化合物單體，可列舉含官能基單體，其包含一種以上羧基、環氧基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、磺胺酸基或者亞燐酸酯基等官能基群。
    作為具有羧基之單體，例如有(甲基)丙烯酸、丁烯酸、馬來酸、無水馬來酸、亞甲基丁二酸、反丁烯二酸、丙烯醯胺基-N-乙醇酸及桂皮酸。
    作為具有環氧基之單體，例如有丙烯基丙三基醚以及(甲基)丙烯酸環氧丙基醚。
    作為具有醯胺基之單體，例如有(甲基)丙烯醯胺。
    作為具有胺基之單體，例如有丙烯酸-N,N-二甲胺乙酯。
    作為具有羥甲基之單體，例如有N-羥甲基丙烯醯胺。 (1-3)光聚合性化合物
    作為光聚合性化合物，例如可以使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、三丙烯酸異戊四醇酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二新戊四醇一羥五丙烯酸酯、聚二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇雙丙烯酸酯、1,6己二醇雙丙稀酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、三聚氰酸三乙基丙烯酸酯、市售之低聚酯丙烯酸酯等。
    作為光聚合性化合物，除前述丙烯酸酯類化合物，還可以使用丙烯酸胺酯寡聚體。丙烯酸胺酯寡聚體係，在使聚酯型態與聚醚型態等聚醇化合物與多價異氰酸化合物反應而得之端異氰酸酯氨基甲酸乙酯預聚物上，反應具有羥基之(甲基)丙烯酸酯而得。
    在多價異氰酸化合物中，例如可以使用2,4-甲苯基二異氰酸酯、2,6-甲苯基二異氰酸酯、1,3-二異氰酸二甲苯酯、1,4-二異氰酸二甲苯酯、4,4-二苯基甲烷二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、二異氰酸異佛爾酮等。又，在具有羥基之(甲基)丙烯酸酯中，例如可以使用(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、三丙烯酸異戊四醇酯、環氧丙醇二(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇一羥五丙烯酸酯等。
    作為光聚合性化合物，較佳的是，具有四個以上乙烯基之丙烯酸胺酯寡聚體，在紫外線等照射後的黏著劑之固化良好的一點。
    光聚合性化合物之混合量，較佳的是，對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份設定為5質量份以上200質量份以下。如果使光聚合性化合物之混合量減少，則照射放射線之後的黏著片材之剝離性降低，容易產生半導體晶片之拾取不良。另一方面，如果增加光聚合性化合物之混合量，則由於切割時黏著劑之刮起很容易產生拾取不良，且由於反應殘渣產生微小的黏著劑沉積物，導致污染。 (1-4)多官能異氰酸酯固化劑
    在多官能異氰酸酯固化劑中，使用包含兩個以上異氰酸酯基者，例如芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環族聚異氰酸酯、該等二聚物及三聚物、加成物等。
    作為芳香族聚異氰酸酯，例如有1,3-苯二異氰酸酯、4,4'-二苯二異氰酸酯、1,4-苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、2,4-甲苯基二異氰酸酯、2,6-甲苯基二異氰酸酯、4,4'-甲苯胺二異氰酸酯、2,4,6-甲苯基異氰酸酯、1,3,5-甲苯基異氰酸酯苯、联大茴香胺聯異氰酸酯、4,4'-二苯醚二異氰酸酯、4,4',4"-三苯甲烷甲苯基異氰酸酯、ω，ω'-二異氰酸酯-1,3-二甲苯、ω,ω'-二異氰酸酯-1,4-二甲苯、ω,ω'-二異氰酸酯-1,4-二乙苯、1,4-四甲基苯二亞甲基二異氰酸酯以及1,3-四甲基苯二亞甲基二異氰酸酯。
    作為脂肪族聚異氰酸酯，例如有伸丙基二異氰酸酯、伸丁基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、五亞甲基二異氰酸酯、1,2-伸丙基二異氰酸酯、2,3-丁烯二異氰酸酯、1,3-丁烯二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯以及2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯。
    作為脂環族聚異氰酸酯，例如有3-異氰酸甲基3,5,5-三甲基環己異氰酸酯、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯、4,4'-亞甲雙(環己烷異氰酸酯)、1,4-二(環己烷異氰酸酯)環己烷以及1,4-二(異氰酸酯基亞甲基)環己烷。
    作為二聚物及三聚物、加成物，例如有二苯基甲烷二異氰酸酯之二聚物、六亞甲基二異氰酸酯之三聚物、三羥甲基丙烷與甲苯基二異氰酸酯的加成物、三羥甲基丙烷與六亞甲基二異氰酸酯的加成物。
    前述聚異氰酸酯中，具有三個以上異氰酸酯基為較佳，特別佳的是，六亞甲基二異氰酸酯之三聚物、三羥甲基丙烷與甲苯基二異氰酸酯的加成物、三羥甲基丙烷與六亞甲基二異氰酸酯的加成物。
    多官能異氰酸酯固化劑之混合比，較佳的是，對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份設定為0.5質量份以上20質量份以下，更佳的是，設定為1.0質量份以上10質量份以下。如果多官能異氰酸酯固化劑為0.5質量份以上，則黏著力並不過強，故能夠抑制拾取不良之發生。如果多官能異氰酸酯固化劑為20質量份以下，則黏著力並不降低，切割時可以維持半導體晶片的保持性。 (1-5)光聚合起始劑
    在光聚合起始劑中，可以使用安息香、安息香芳烷醚類、苯乙酮類、蔥肽類、塞噸酮類、縮酮類、二苯基酮類或者氧雜蒽酮類等。
    作為安息香，例如有安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香二丙醚等。
    作為苯乙酮類，例如有安息香芳烷醚類、苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯乙酮、1,1-二氯苯乙酮等。
    作為蔥肽類，有2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔-丁基蒽醌、1-氯蒽醌等。
    作為塞噸酮類，例如有2,4-二甲基塞噸酮、2,4-二異丙基塞噸酮、2-氯塞噸酮、2,4-二異丙基塞噸酮等。
    作為縮酮類，例如有苯乙酮二甲基縮酮、苯甲基二甲基縮酮、苯甲基二苯基硫、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、二苯基、雙乙醯、β-氯蒽醌等。
    光聚合起始劑，自溫度23℃以10℃/分的升溫速度升溫至500℃，質量損失率為10%時之溫度為250℃以上為佳。在後述之加熱工序中將貼合於晶圓等中的黏著片材加熱至60~150℃時，如果光聚合起始劑揮發或劣化，則在後工序即光照工序中的黏著劑層之固化不充分，無法充分降低黏著力，成為導致後續拾取工序中拾取不良的主要原因。因此，較佳的是，使用具有如上所述之性狀，加熱時很難產生揮發及劣化的光聚合起始劑。
    作為前述溫度為250℃以上的光聚合起始劑，可以列舉乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-，1-(O-乙醯基肟)(BASF JAPAN公司製造、產品名稱IRGACURE OXE02)、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基膦氧化物(BASF JAPAN公司製造，產品名稱LUCIRIN TPO)以及2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮(BASF JAPAN公司製造，產品名稱IRGACURE127)、2-苯基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1(BASF JAPAN公司製造，產品名稱IRGACURE369)、2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁烷-1-酮(BASF JAPAN公司製造，產品名稱IRGACURE379)、二(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基膦氧化物(BASF JAPAN公司製造，產品名稱IRGACURE819)等。
    其中，特別是以前述溫度為270℃以上的乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-，1-(O-乙醯基肟)(BASF JAPAN公司製造、產品名稱IRGACURE OXE02)、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基膦氧化物(BASF JAPAN公司製造，產品名稱LUCIRIN TPO)以及2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮(BASF JAPAN公司製造，產品名稱IRGACURE127)為佳。
    光聚合起始劑之混合量，較佳的是，對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份為0.1質量份以上20質量份以下。若混合量過少，則照射放射線後之黏著片材的剝離性降低，容易產生半導體晶片之拾取不良。另一方面，若混合量過多，則光聚合起始劑流向黏著劑表面，導致污染。
    在光聚合起始劑中，根据需要亦可以組合1種或者2種先前衆所周知的光聚合促進劑而並用。在光聚合促進劑中，可以使用安息香酸類及第三級胺等。作為第三級胺，可以列舉三乙胺、四亞乙基五胺、二甲胺乙醚等。
    黏著劑層之厚度，較佳為3 μm以上至100 μm，特別是以5 μm以上至20 μm為佳。若黏著劑層過厚，黏著力會變得過高，拾取性降低。又，若黏著劑層過薄，黏著力會變得過低，切割時的晶片保持性降低，有時在環狀框架與薄片之間產生剝離。 (2)基材
    作為基材之材料，例如可以列舉利用金屬離子將聚氯乙烯、聚對酞酸乙二酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯薄膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯類共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物以及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等交聯之離聚物樹脂等。基材可以是該等樹脂的混合物或共聚物，亦可以是由該等樹脂組成之薄膜及薄片之積層體。
    在基材之材料中，使用丙烯類共聚物為佳。將耐熱性與伸長性良好的丙烯類共聚物使用為材料，可以得到即使加熱也不會引起軟化及熔化，不產生收縮，又能夠在擴展．拾取工序中充分拉伸的黏著片材。
    作為丙烯類共聚物，例如有丙烯與其他成分之隨機共聚物、丙烯與其他成分之嵌段共聚物、丙烯與其他成分之交替共聚物。作為其他成分，有乙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯等α-烯烴、至少由兩種以上α-烯烴組成之共聚物、苯乙烯-二烯共聚物等。
    在丙烯類共聚物中，特別是以丙烯與1-丁烯以及乙烯的共聚物為佳。丙烯與1-丁烯以及乙烯的共聚物，除耐熱性之外還具有柔軟性，故藉由對其之使用可以得到擴展性良好之黏著片材。
    基材，可以是由前述材料組成之單層或者多層之薄膜或者薄片，亦可以是積層由不同材料組成之薄膜等者。基材之厚度為50~200 μm，較佳為70~150 μm。
    對於基材，較佳的是，實施靜電防止處理。作為靜電防止處理，有向基材添加抗靜電劑之處理、向基材表面塗佈抗靜電劑之處理、藉由電暈放電之處理。
    作為抗靜電劑，例如可以使用四級胺鹽單體等。作為四級胺鹽單體，例如可以列舉二甲胺乙酯四級氯化物、二乙胺乙酯四級氯化物、甲基乙基胺甲基丙烯酸酯四級氯化物、p-二甲胺苯乙烯四級氯化物以及p-二乙胺苯乙烯四級氯化物。其中，以二甲胺乙酯四級氯化物為佳。 2.電子零件之製造方法
    本發明之電子零件之製造方法，包含將貼合前述黏著片材之電子零件加熱至60~150℃之工序。下面，依次說明製造方法之具體工序。然而，本發明所說的「電子零件」係指半導體晶圓、基板、半導體晶片、半導體零件等。 (1)貼合工序
    首先，在貼合工序中，將黏著片材貼合至半導體晶圓(或者基板)與環狀框架上。晶圓，可以是矽晶圓以及氮化鎵晶圓、碳化矽晶圓、藍寶石晶圓等先前通用之晶圓。 (2)加熱工序
    在實施形成於晶圓等之電路試驗的情形下，貼合工序之後，對晶圓等以60~150℃左右加熱15分~5小時左右。具體地說，將貼合有黏著片材之半導體晶圓或者基板裝載於60~150℃的工作臺上使黏著片材與工作臺相接觸，藉由吸附固定來加熱，並檢驗半導體晶圓或者基板。又，在得到半導體晶片或者半導體零件之後實施電路之試驗的情形下，在以下說明之切割工序之後同樣實施加熱工序。即，將貼合有黏著片材之半導體晶片或者半導體零件裝載於60~150℃的工作臺上使黏著片材與工作臺相接觸，藉由吸附固定來加熱，並檢驗半導體晶片或者半導體零件。此外，加熱工序還以切割工序後除去切削水之目的實施，同樣對半導體晶片等以60~150℃左右加熱15分~5小時左右。
    本發明之黏著片材，由於即使在被加熱之情形下也不會產生起因於增黏樹脂之軟化的黏著劑層之軟化，故不會過度地黏著於半導體晶圓等。因此，本發明之電子零件的製造方法，在後述之紫外線照射工序及拾取工序中，藉由紫外線等照射可以充分降低黏著劑層之黏著力，且可以防止拾取不良及黏著劑沉積物。 (3)切割工序
    在切割工序中，將矽晶圓等切割之後做成半導體晶片或者半導體零件。切割工序之後，有時會以除去切削水之目的實施前述加熱工序。 (4)光照工序
    在光照工序中，自基材側向光固化型黏著劑層照射紫外線等活化光線。作為紫外線之光源，可以使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈。又，亦可以替代紫外線使用電子束，作為電子束之光源，可以使用α線、β線、γ線。
    藉由光照射使黏著劑層經三維網狀化而固化，且使黏著劑層之黏著力降低。此時，如上所述，由於本發明之黏著片材即使加熱也不會過度地黏著於晶圓等，故藉由紫外線等之照射可以充分降低黏著力。 (5)擴展．拾取工序
    在擴展．拾取工序中，為增寬半導體晶片或者半導體零件之間的間隔，拉伸黏著片材，並利用針銷等向上頂晶片或者零件。然後，利用真空筒夾或者空氣鑷子吸附晶片或者零件，自黏著片材之黏著劑層剝離而拾取。此時，在本發明之黏著片材中，藉由紫外線等之照射己經實現充分的黏著力之降低，故晶片或者零件與黏著劑層之間的剝離變得容易，得到良好之拾取性，亦不會產生黏著劑沉積物等不良。
    在拾取工序之後，經由晶粒附著封膠將拾取之晶片或者零件搭載於引線框架中。搭載後，加熱晶粒附著封膠，加熱黏著晶片或者零件與引線框架。然後，利用樹脂模製搭載於引線框架上的晶片或者零件。 [實施例] <實施例1>
    按照「表1」所示之混合調製光固化型黏著劑。將光固化型黏著劑塗佈於聚對酞酸乙二酯製的分離器薄膜上，塗佈使乾燥後之黏著層之厚度達到10 μm。將該黏著層積層於基材薄膜上，以40℃熟化7日，得到黏著片材。在基材薄膜(K-1)中，使用藉由T型壓出將日本蒙泰昭和株式會社製造的丙烯類共聚物(件號：X500F)成膜為80 μm者。
    [基材薄膜]
    K-1：日本蒙泰昭和株式會社製造的丙烯類共聚物(件號：X500F)；將丙烯與1-丁烯以及乙烯作為聚合成份含有，MFR(熔融指數)值為7.5g/10分、密度0.89g/cm3。
    K-2：日本蒙泰昭和株式會社製造的丙烯類共聚物(件號：Q300F)；將丙烯與乙烯作為聚合成份含有，MFR值為0.9g/10分、密度0.89g/cm3。
    K-3：日本東洋曹達工業株式會社製造的乙烯類共聚物(件號：合成乙烯樹脂537)、乙酸乙烯酯含量6%、MFR值為8.5g/10分、密度0.93g/cm3。
    K-4：日本東洋曹達工業株式會社製造的低密度聚乙烯(件號：Petrothene170)、MFR值為1.0g/10分、密度0.92g/cm3。 [光固化型黏著劑] [(甲基)丙烯酸酯共聚物]
    A-1：日本瑞翁(Zeon)株式會社製造之丙烯酸橡膠AR53L；可藉由丙烯酸乙酯54%、丙烯酸丁酯19%、丙烯酸甲氧基乙酯24%之共聚物、乳化聚合而得。
    A-2：綜研化學株式會社製造之SK-Dyne1496；可藉由丙烯酸2-乙基己酯96%、丙烯酸2-羥乙酯4%之共聚物、溶液聚合而得。 [光聚合性化合物]
    B-1：根上工業株式會社製造之UN-905；其係在二異氰酸異佛爾酮之三聚物中反應以二新戊四醇五丙烯酸酯為主要成分的丙烯酸酯而獲得者，其乙烯基之數量為15個。
    B-2：新中村化學株式會社製造之A-TMPT；三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙烯基之數量為15個。 [多官能異氰酸酯固化劑]
    C-1：日本聚氨酯工業株式會社製造之CORONATE L-45E；2,4-甲苯基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物。
    C-2：伸丙基二異氰酸酯。 [光聚合起始劑]
    D-1：BASF JAPAN公司製造之IRGACURE OXE02；乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-，1-(O-乙醯基肟)、質量損失率為10%時的溫度為320℃。
    D-2：BASF JAPAN公司製造之LUCIRIN TPO；2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基膦氧化物、質量損失率為10%時的溫度為270℃。
    D-3：BASF JAPAN公司製造之IRGACURE127；2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、質量損失率為10%時的溫度為275℃。
    D-4：BASF JAPAN公司製造之IRGACURE651；二苯甲基縮酮、質量損失率為10%時的溫度為185℃。 [聚矽氧類接枝共聚物]
    E-1：綜研化學株式會社製造之UTMM-LS2；於聚矽氧分子鏈之末端聚合由具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧類寡聚體類單位以及甲基丙烯酸甲酯等組成之丙烯酸乙烯單位而成之聚矽氧類接枝共聚物。 [增黏樹脂]
    F-1：安原化工株式會社製造之YS POLYSTAR S145；萜烯酚類增黏樹脂、軟化點為145℃。
    將所得之黏著片材貼合於形成虛擬電路模型之直徑8英寸、厚度0.1 mm之矽晶圓與環狀框架，並進行切割。將矽晶圓設置於加熱版上，使黏著片材貼合面與相對側面相接觸，在以120℃加熱1小時之後，實施光照射及擴展．拾取之各個工序。
    切割工序之條件如下所述。
    切割裝置：DISCO公司製造之DAD341
    切割板：DISCO公司製造之NBC-ZH205O-27HEEE
    切割板形狀：外徑55.56 mm、齒寬35 μm、內徑19.05 mm。
    切割板轉速：40,000 rpm
    切割板進料速度：50 mm/秒
    切割尺寸：10 mm角
    對黏著片材之切削深度：15 μm
    切削水溫度：25℃
    切削水量：1.0升/分
    光照射工序之條件如下所述。
    紫外線照射：利用高壓水銀燈之照射量為150mJ/cm2。
    擴展．拾取工序之條件如下所述。
    拾取裝置：佳能機械株式會社製造之CAP-300II
    擴展量：8 mm
    針銷形狀：250μmR
    針銷數量：5根
    針銷頂上高度：0.3 mm
    在切割工序及擴展．拾取工序中，進行以下評價。 (1)晶片保持性
    對於晶片保持性，在切割工序之後，基於半導體晶片固定於黏著片材上之半導體晶片之殘存率，藉由以下基準進行評價。
    優：晶片移動不足5%
    良：晶片移動為5%以上10%以下
    不可：晶片移動為10%以上 (2)拾取性
    對於拾取性，在拾取工序中，基於半導體晶片被拾取之比率，藉由以下基準進行評價。
    優：晶片之拾取成功率為95%以上
    良：晶片之拾取成功率為80%以上95%以下
    不可：晶片之拾取成功率為不足80%
    將評價結果顯示於[表1]。在實施例1之黏著片材中，晶片保持性以及拾取性均被評價為優。 <實施例2~11>
    除對基材薄膜之材料、(甲基)丙烯酸酯共聚物以及光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑、光聚合起始劑、聚矽氧類接枝共聚物之種類或者有無添加做出如[表1]所述之變更之外，以與實施例1相同之方法製造黏著片材並進行評價。結果如「表1」所示。 <實施例12~20>
    將利用與實施例1相同之方法獲得之黏著片材貼合於形成虛擬電路模型之直徑8英寸、厚度0.1 mm之矽晶圓與環狀框架上，並進行切割。將矽晶圓設置於加熱版上，使黏著片材貼合面與相對側面相接觸，在以[表1]所示之條件加熱之後，以與實施例1相同之條件實施光照射及擴展．拾取之各個工序。結果如「表1」所示。 <比較例1>
    不添加聚矽氧類接枝共聚物，除添加增黏樹脂以外，以與實施例1相同之方法製造黏著片材，並進行評價。結果如「表1」所示。
    在實施例2~20中，確保良好之晶片保持性及拾取性。另一方面，在比較例1中，拾取性不良，黏著劑沉積物也明顯。 [產業之可利用性]
    本發明之黏著片材，由於即使在被加熱之情形下也不會產生黏著劑層之軟化，不會過度地黏著於半導體晶圓等，故藉由紫外線等之照射可以充分降低黏著劑層之黏著力，得到良好的拾取性。因此，本發明之黏著片材，在半導體晶圓之加工工序中，能夠較佳地使用於在形成電路之半導體晶圓等之性能試驗或者切割工序中包含以除去切削水為目的之加熱工序之情形。
    权利要求:
    Claims (11)
    [1] 一種黏著片材，其係在基材上積層光固化型黏著劑層而成者，其特徵在於：形成前述光固化型黏著劑層的光固化型黏著劑，包含(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑與光聚合起始劑，不包含增黏樹脂。
    [2] 如請求項1之黏著片材，其中前述光固化型黏著劑，包含聚矽氧類接枝共聚物。
    [3] 如請求項1或2之黏著片材，其中前述多官能異氰酸酯固化劑，包含三個以上異氰酸酯基。
    [4] 如請求項1之黏著片材，其中前述光聚合起始劑，於自23℃至500℃以10℃/分的升溫速度升溫時，質量損失率為10%的溫度為250℃以上。
    [5] 如請求項1之黏著片材，其中前述基材，由丙烯類共聚物形成。
    [6] 如請求項5之黏著片材，其中前述丙烯類共聚物，係丙烯與1-丁烯以及乙烯之共聚物。
    [7] 如請求項1之黏著片材，其於電子零件之檢驗工序中貼合在該電子零件上而使用。
    [8] 一種黏著劑，其係用於形成在電子零件的檢驗工序中貼合於該電子零件上的黏著片材之黏著劑層，其特徵在於：包含(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑與光聚合起始劑，不包含增黏樹脂。
    [9] 一種電子零件之製造方法，其包含將貼合有黏著片材之電子零件加熱至60~150℃的加熱工序，其特徵在於：作為前述黏著片材，使用一種在基材上積層光固化型黏著劑層而成之黏著片材，其基材由丙烯類共聚物形成，且形成光固化型黏著劑層的光固化型黏著劑包含(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑與光聚合起始劑，不包含增黏樹脂。
    [10] 如請求項9之電子零件之製造方法，其包含：貼合工序，其將前述黏著片材貼合至半導體晶圓或者基板與環狀框架上；加熱工序，其將貼合有前述黏著片材之半導體晶圓或者基板裝載於60~150℃的工作臺上使黏著片材與工作臺相接觸，藉由吸附固定來加熱，並檢驗半導體晶圓或者基板；切割工序，其將貼付了黏著片材的半導體晶圓或者基板切割之後做成半導體晶片或者半導體零件；光照工序，其向前述黏著片材之光固化型黏著劑層照射活化光線；擴展工序，其為增寬前述半導體晶片或者半導體零件之間的間隔而拉伸前述黏著片材；拾取工序，其自前述黏著片材拾取前述半導體晶片或者半導體零件。
    [11] 如請求項9之電子零件之製造方法，其包含：貼合工序，其將前述黏著片材貼合至半導體晶圓或者基板與環狀框架上；切割工序，其將貼付了半導體晶圓或者基板切割之後做成半導體晶片或者半導體零件；加熱工序，其將貼合有前述黏著片材之半導體晶片或者半導體零件裝載於60~150℃的工作臺上使黏著片材與工作臺相接觸，藉由吸附固定來加熱，並檢驗前述半導體晶片或者半導體零件；光照工序，其向前述黏著片材之光固化型黏著劑層照射活化光線；擴展工序，其為增寬前述半導體晶片或者半導體零件之間的間隔而拉伸前述黏著片材；拾取工序，其自前述黏著片材拾取前述半導體晶片或者半導體零件。
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    引用文献:
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